HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE9004
发行日期: 1998年1月25日
修订日期: 2002年9月16日
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HI669A
NPN外延平面晶体管
描述
该HI669A是专为低频功率放大器。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-251
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
•
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................... 1 W
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ 180 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... 160 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................... 5 V
IC收藏家Current............................................................................................................ 1.5 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
180
160
5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
14
马克斯。
-
-
-
10
1
1.5
200
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC=1mA
IC=10mA
IC=1mA
VCB=160V
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 5V , IC = 150毫安
VCE = 5V , IC = 150毫安
VCE = 5V , IC = 500毫安
VCE = 5V , IC = 500毫安
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
中hFE1分类
秩
范围
B
60-120
C
100-200
D
180-320
HI669A
HSMC产品规格