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HIRF730F 参数 Datasheet PDF下载

HIRF730F图片预览
型号: HIRF730F
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内容描述: N沟道功率MOSFET [N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 49 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: MOS200406
发行日期: 2004年10月1日
修订日期: 2005年4月22日
页页次: 1/4
HIRF730 / HIRF730F
N沟道功率MOSFET
HIRF730系列引脚分配
TAB
3引脚塑封
TO-220AB
封装代码:电子
引脚1 :门
2脚&标签:排水
引脚3 :源
描述
国际整流器公司第三代HEXFETs提供
设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备
设计,低导通电阻和成本效益。
2
3
1
特点
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
1
3引脚塑封
TO-220FP
封装代码:F
引脚1 :门
引脚2 :排水
引脚3 :源
3
2
热特性
符号
JC
JA
参数
热阻
结到外壳最大。
热阻
结到环境最大。
价值
TO-220AB
TO-220FP
62
1.71
3.3
单位
° C / W
° C / W
HIRF730系列符号
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
漏源电压
漏电流(连续)
漏电流(脉冲) ( * 1 )
栅极 - 源极电压(继续)
总功耗
TO-220AB
TO-220FP
减免上述25℃
TO-220AB
TO-220FP
单脉冲雪崩能量( * 2 )
雪崩电流( * 1 )
重复性雪崩能量( * 1 )
峰值二极管恢复( * 3 )
工作温度范围
存储温度范围
从最大的铅焊接温度的目的, 1/8“
情况下,10秒
参数
价值
400
5.5
22
±20
74
38
0.58
0.3
290
5.5
7.4
4
-55到150
-55到150
300
单位
V
A
A
V
W
P
D
W / ℃,
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
°C
°C
E
AS
I
AR
E
AR
d
v
/d
t
T
j
T
英镑
T
L
* 1 :重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温
*2: V
DD
= 50V ,起始物为
j
= 25℃时,L = 16mH ,R
G
=25Ω, I
AS
=5.5A
*3: I
SD
≤5.5A,
DI / dt≤90A / US ,V
DD
≤V
( BR ) DSS
, T
J
≤150°C
HIRF730 , HIRF730F
HSMC产品规格