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HJ1109 参数 Datasheet PDF下载

HJ1109图片预览
型号: HJ1109
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 34 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6019 -B
发行日期: 1996年4月15日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 1/3
HJ1109
PNP外延平面晶体管
描述
低频高电压放大器。
互补配对HJ1609 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ .........................................为1.25W
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ...................................... -160 V
BVces集电极发射极电压............................................. ................................... -160 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................. -5 V
IC集电极电流...................................................................................................... -100毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE (SAT)
VBE
*hFE1
*hFE2
FT
COB
分钟。
-160
-160
-5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
5.5
马克斯。
-
-
-
-10
-2
-1.5
320
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC = -10uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -10uA , IC = 0
VCB = -140V , IE = 0
IC = -30mA , IB = -3mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCE = -5V , IC = -1mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCB = -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
中hFE1分类
范围
B
60-120
C
100-200
D
160-320
HSMC产品规格