欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HJ14C 参数 Datasheet PDF下载

HJ14C图片预览
型号: HJ14C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 35 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HJ14C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HJ14C的Datasheet PDF文件第3页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6010
发行日期: 1996年2月14日
修订日期: 2002年3月4日
页页次: 1/3
HJ41C
NPN外延平面晶体管
描述
该HJ41C设计用于一般用途的放大器的使用和
开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-252
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................. 20瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ 100伏
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... 100伏
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................... 5 V
IC收藏家Current............................................................................................................... 6的
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
100
100
5
-
-
-
-
-
30
15
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
10
50
500
1.5
2
-
75
-
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
V
测试条件
IC = 1mA时, IE = 0
IC = 30mA时IB = 0
IC = 1mA时, IC = 0
VCE = 100V , VEB = 0
VCE = 60V , IB = 0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 6A , IB = 600毫安
VCE = 4V , IC = 6A
VCE = 4V , IC = 300毫安
VCE = 4V , IC = 3A
VCE = 10V , IC = 500毫安, F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
HJ41C
HSMC产品规格