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HJ45H11 参数 Datasheet PDF下载

HJ45H11图片预览
型号: HJ45H11
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 26 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HJ45H11的Datasheet PDF文件第2页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6006 -B
发行日期: 1994年11月9日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 1/2
HJ45H11
PNP外延平面晶体管
描述
该HJ45H11设计用于各种专用和通用
的应用,如:放大器的输出和驱动器级operat-
荷兰国际集团在从DC频率高于1MHz的;系列,分流器和
开关稳压器;低频和高频逆变器/转换器;
和许多其他。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 20瓦
最大电压和电流
BVCEO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ -80 V
BVces集电极发射极电压............................................. ..................................... -80 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................. -5 V
IC集电极电流.......................................................................................................... -10一
IB基本电流................................................................................................................... -5 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCEO
BVces
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
COB
fT
分钟。
-80
-80
-5
-
-
-
-
60
40
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
230
40
马克斯。
-
-
-
-10
-50
-1
-1.5
-
-
-
-
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
测试条件
IC = -30mA , IB = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -1mA , IC = 0
VCB = -80V , IE = 0
VEB = -5V , IC = 0
IC = -8A , IB = -0.8A
IC = -8A , IB = -0.8A
VCE = - 1V , IC = -2A
VCE = - 1V , IC = -4A
VCB=-10V,
VCE = -10V , IC = -500mA , F = 20MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
pF
兆赫
HSMC产品规格