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型号: HLB120S
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内容描述: NPN型三重扩散平面型高压晶体管 [NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 4 页 / 48 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HA200204
发行日期: 2002年2月1日
修订日期: 2005年2月5日
页页次: 1/4
HLB120S
NPN型三重扩散平面型高压晶体管
描述
该HLB120S是设计用于切换使用中等功率晶体管
应用程序。
TO-92
特点
高的击穿电压
低集电极饱和电压
开关速度快
绝对最大额定值
最高温度
储存温度........................................................................................................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................................................................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
= 25℃) ............................................................................................................... 625毫瓦
总功率耗散(T
C
= 25℃) ...................................................................................................................... 7瓦
最大电压和电流(T
A
=25°C)
V
CBO
集电极 - 基极电压......................................................................................................................... 500 V
V
首席执行官
集电极到发射极电压...................................................................................................................... 400 V
V
EBO
发射器基极电压................................................................................................................................ 6 V
I
C
集电极电流( DC ) ...............................................................................................................................百毫安
I
C
集电极电流(Pulse)............................................................................................................................ 200毫安
I
B
基极电流(DC)........................................................................................................................................ 20毫安
I
B
基极电流(Pulse).................................................................................................................................... 40毫安
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
*V
CE(sat)1
*V
CE(sat)2
*V
BE ( SAT )
*h
FE1
*h
FE2
分钟。
500
400
6
-
-
-
-
-
-
8
10
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
10
10
10
400
750
1
-
36
单位
V
V
V
uA
uA
uA
mV
mV
V
I
C
= 100uA的,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CB
=450V
V
CE
= 400V ,我
B
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
I
C
= 50mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=20mA
I
C
= 50mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
HLB120S
HSMC产品规格