HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE9030
发行日期： 1998年7月1日
修订日期： 2002年5月8日
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HLB122I
NPN型三重扩散平面型高压晶体管
描述
该HLB122I是设计用于切换使用中等功率晶体管
应用程序。
特点
•
高的击穿电压
•
低集电极饱和电压
•
开关速度快
TO-251
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
储存温度........................................................................................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................................................................................ 150
°C
•
最大功率耗散
总功率耗散(Tc=25°C)................................................................................................. 30瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. .................................................. .. 600 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ................................................. 400 V
BVEBO发射器基极电压....................................................................................................... 6 V
IC集电极电流(DC)............................................................................................................ 800毫安
IC集电极电流(Pulse)...................................................................................................... 1600毫安
IB基本电流(DC)..................................................................................................................百毫安
IB基本电流（脉冲） .............................................................................................................. 200毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
tf
分钟。
600
400
6
-
-
-
-
-
-
10
10
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
10
10
10
400
800
1
40
-
0.6
单位
V
V
V
uA
uA
uA
mV
mV
V
测试条件
IC=100uA
IC=10mA
IE=10uA
VCB=600V
VCE=400V
VEB=6V
IC = 100mA时IB = 20mA下
IC = 300毫安， IB = 60毫安
IC = 100mA时IB = 20mA下
VCE = 10V ， IC = 0.1A
VCE = 10V ， IC = 0.5A
VCC = 100V ， IC = 0.3A ， IB1 = -IB2 = 0.06A
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
uS
中hFE1分类
秩
范围
HLB122I
B1
10-17
B2
13-22
B3
18-27
B4
23-32
B5
28-37
B6
33-40
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
