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型号: HLB122J
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内容描述: NPN型三重扩散平面型高压晶体管 [NPN Triple Diffused Planar Type High Voltage Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 4 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6830
发行日期: 1994年1月25日
修订日期: 2002年5月8日
页页次: 1/4
HLB122J
NPN型三重扩散平面型高压晶体管
描述
该HLB122J是设计用于在使用中功率晶体管
开关应用。
特点
高的击穿电压
低集电极饱和电压
开关速度快
TO-252
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................. 30瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ 600 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... 400 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................... 6 V
IC集电极电流( DC ) ............................................ .................................................. 。 800毫安
IC集电极电流(脉冲) ............................................ ............................................. 1600毫安
IB基本电流( DC ) .....................................................................................................百毫安
IB基本电流(Pulse).................................................................................................. 200毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
600
400
6
-
-
-
-
-
-
10
5
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
10
10
10
400
800
1
40
-
0.6
单位
V
V
V
uA
uA
uA
mV
mV
V
测试条件
IC=100uA
IC=10mA
IE=10uA
VCB=600V
VCE=400V
VEB=6V
IC = 100mA时IB = 20mA下
IC = 300毫安, IB = 60毫安
IC = 100mA时IB = 20mA下
VCE = 10V , IC = 0.1A
VCE = 10V , IC = 0.5A
VCC = 100V , IC = 0.3A , IB1 = -IB2 = 0.06A
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
uS
HLB122J
HSMC产品规格