HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HM200102
发行日期： 2001年7月30日
修订日期： 2002年10月8日
页页次： 1/5
HM112
NPN外延平面晶体管
描述
的HM112是专为在通用放大器和低速用
开关应用。
SOT-89
达林顿示意图
C
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .......... 150
°C
最大
B
R1
R2
E
•
最大功率耗散
总功率耗散（T
A
= 25℃） ................................................................................................................... 1.2 W
总功耗
（印制电路板2mm厚，收藏家电镀1厘米
2
方形或更大） .............................................. .........为1.6W
•
最大电压和电流
BV
CBO
集电极 - 基极电压....................................................................................................................... 100 V
BV
首席执行官
集电极到发射极Voltage.................................................................................................................... 100 V
BV
EBO
发射器基Voltage.............................................................................................................................. 5 V
I
C
集电极电流（继续） .............................................................................................................................. 4将
I
C
集电极电流（峰值） .................................................................................................................................... 6的
热特性
符号
R
θJA
特征
热阻，结到环境（T
A
=25
o
C)
马克斯。
104
单位
o
C / W
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
*V
CE （ SAT ）
*V
BE（上）
*h
FE1
*h
FE2
COB
分钟。
100
100
-
-
-
-
-
1
500
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
1
2
2
2.5
2.8
-
-
200
pF
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
K
I
C
=1mA
I
C
=30mA
V
CB
=100V
V
CE
=50V
V
EB
=5V
I
C
= 2A ，我
B
=8mA
I
C
= 2A ，V
CE
=4V
I
C
= 1A ，V
CE
=4V
I
C
= 2A ，V
CE
=4V
V
CB
= 10V ， F =为0.1MHz
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
测试条件
HM112
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
