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HM117 参数 Datasheet PDF下载

HM117图片预览
型号: HM117
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 5 页 / 47 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HM200101
发行日期: 2001年7月30日
修订日期: 2004年12月21日
页页次: 1/5
HM117
PNP外延平面晶体管
描述
的HM117是专为在通用放大器和低速用
开关应用。
SOT-89
达林顿示意图
C
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .......... 150
°C
最大
B
R1
R2
E
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
= 25℃) ................................................................................................................... 1.2 W
总功耗
(印制电路板2mm厚,收藏家电镀1厘米
2
方形或更大) .............................................. .........为1.6W
最大电压和电流
BV
CBO
集电极基Voltage...................................................................................................................... -100 V
BV
首席执行官
集电极到发射极Voltage................................................................................................................... -100 V
BV
EBO
发射器基Voltage............................................................................................................................. -5 V
I
C
集电极电流(继续) ............................................................................................................................ -4 A
I
C
集电极电流(峰值) .................................................................................................................................. -6 A
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE1
*h
FE2
COB
分钟。
-100
-100
-
-
-
-
-
1
500
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-1
-2
-2
-2.5
-2.8
-
-
200
pF
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
K
I
C
=-1mA
I
C
=-30mA
V
CB
=-100V
V
CE
=-50V
V
EB
=-5V
I
C
= -2A ,我
B
=-8mA
I
C
= -2A ,V
CE
=-4V
I
C
= -1A ,V
CE
=-4V
I
C
= -2A ,V
CE
=-4V
V
CB
= -10V , F =为0.1MHz
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
HM117
HSMC产品规格