HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 2000年7月1日
修订日期： 2000年7月1日
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HM3669
NPN外延平面晶体管
描述
该HM3669是专为使用在功放的应用，
电源开关的应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
Tstg存储温度............................................... ..................................... -55 〜+ 150
°C
TJ结温............................................... ................................................. + 150
°C
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ .............................................. 1 W
•
最大电压和电流
BVCBO集电极基极击穿电压............................................ ....................... 80 V
BVCEO集电极到发射极击穿电压............................................ .................... 80 V
BVEBO发射器基极发射极击穿电压........................................... ................. 5 V
IC集电极电流(DC)...................................................................................................... 2将
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*的hFE
fT
COB
吨
TSTG
Tf
分钟。
80
80
5
-
-
-
-
300
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.15
0.9
-
100
30
0.2
1
0.2
马克斯。
-
-
-
1000
1000
0.5
1.2
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF
uS
uS
uS
测试条件
IC=100uA
IC=10mA
IE=100uA
VCB=80V
VEB=5V
IC = 1A ， IB = 50毫安
IC = 1A ， IB = 50毫安
VCE = 2V ， IC = 500毫安
VCE = 2V ， IC = 500毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IB1 = -IB2 = 50mA时占空比1 ％
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
