HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6804
发行日期： 1992年8月25日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBT1015
PNP外延平面晶体管
描述
该HMBT1015被设计用于AF放大器的驱动器级和
通用的扩增。
绝对最大额定值
SOT-23
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -50 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -50 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC集电极电流...................................................................................................... -150毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
-
120
25
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-300
-1.1
700
-
-
7
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
测试条件
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-50V
VEB=-5V
IC = -100mA ， IB = -10mA
IC = -100mA ， IB = -10mA
VCE = -6V ， IC = -2mA
VCE = -6V ， IC = -150mA
VCE = -10V ， IC = -1mA ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， F = 1MHz时， IE = 0
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中hFE1分类
秩
范围
A4Y
120-240
A4G
200-400
A4B
350-700
HMBT1015
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
