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HMBT2907 参数 Datasheet PDF下载

HMBT2907图片预览
型号: HMBT2907
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 33 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6821
发行日期: 1993年6月23日
修订日期: 2002年10月25日
页页次: 1/3
HMBT2907A
PNP外延平面晶体管
描述
该HMBT2907A是专为通用放大器和高
- 速度切换,中功率开关应用。
特点
低集电极饱和电压
高速开关
对于配套使用采用NPN型HMBT2222A
SOT-23
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
连接点Temperature.................................................................................................... 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 225毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -60V。
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -60V。
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC收藏家Current....................................................................................................... -600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEX
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
*hFE4
*hFE5
fT
COB
分钟。
-60
-60
-5
-
-
-
-
-
-
75
100
100
100
50
200
-
典型值。
-
-
-
-
-
-0.2
-0.5
-
-
-
-
-
180
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-10
-50
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
-
-
-
300
-
-
8
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
IC=-10uA
IC=-10mA
IC=-10uA
VCB=-50V
VCE = -30V , VBE = -0.5V
IC = -150mA , IB = -15mA
IC = -500mA , IB = -50mA
IC = -150mA , IB = -15mA
IC = -500mA , IB = -50mA
VCE = -10V , IC = -100uA
VCE = -10V , IC = -1mA
VCE = -10V , IC = -10mA
VCE = -10V , IC = -150mA
VCE = -10V , IC = -500mA
VCB = -20V , IC = -50mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HMBT2907A
HSMC产品规格
兆赫
pF