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HMBT468图片预览
型号: HMBT468
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 5 页 / 44 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HN200204
发行日期: 2001年7月1日
修订日期: 2004年9月8日
页页次: 1/5
HMBT468
NPN外延平面晶体管
描述
该HMBT468是专为通用低频功率放大器
应用程序。
SOT-23
绝对最大额定值
最高温度
储存温度........................................................................................................................... -55 〜+ 150
°C
结温..................................................................................................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
= 25℃) ............................................................................................................... 225毫瓦
最大电压和电流(T
A
=25°C)
V
CBO
集电极 - 基极电压........................................................................................................................... 25 V
V
首席执行官
集电极到发射极电压........................................................................................................................ 20 V
V
EBO
发射器基极电压................................................................................................................................ 5 V
I
C
集电极电流............................................................................................................................................... 1
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
*V
CE ( SAT )
V
BE(上)
*h
FE
f
T
COB
分钟。
25
20
5
-
-
-
85
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
190
22
马克斯。
-
-
-
1
500
1
400
-
-
兆赫
pF
单位
V
V
V
uA
mV
V
I
C
=为10uA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
I
C
= 0.8A ,我
B
=80mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CB
= 10V , F = 1MHz时,我
E
=0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
分类的hFE的
范围
B
85-170
C
120-240
D
200-400
HMBT468
HSMC产品规格