HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6819
发行日期： 1993年6月30日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBT5401
PNP外延平面晶体管
描述
该HMBT5401是专为一般用途的应用
要求较高的击穿电压。
SOT-23
特点
•
高集电极 - 发射极击穿电压（ BVCEO = 150V @ IC = 1毫安）
•
补充到NPN型HMBT5551
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... -160 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -150 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC收藏家Current....................................................................................................... -600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
-160
-150
-5
-
-
-
-
-
50
60
50
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-50
-200
-500
-1
-1
-
240
-
300
6
单位
V
V
V
nA
mV
mV
V
V
测试条件
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-120V
IC = -10mA ， IB = -1mA
IC = -50mA ， IB = -5mA
IC = -10mA ， IB = -1mA
IC = -50mA ， IB = -5mA
VCE = -5V ， IC = -1mA
VCE = -5V ， IC = -10mA
VCE = -5V ， IC = -50mA
VCE = -10V ， IC = -10mA ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
HMBT5401
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
