HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6810
发行日期： 1998年7月1日
修订日期： 2002年10月25日
页页次： 1/3
HMBT6429
NPN外延平面晶体管
描述
晶体管放大器
绝对最大额定值
SOT-23
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 55 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 45 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 6 V
IC收藏家Current........................................................................................................ 200毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
*hFE3
*hFE4
fT
COB
分钟。
55
45
-
-
-
-
-
560
500
500
500
500
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
10
100
10
200
600
660
-
1250
-
-
700
3.0
单位
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
VCB=30V
VCE=30V
VEB=5V
IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 0.01毫安
VCE = 5V ， IC = 0.1毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 1mA时， F = 100MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
HMBT6429
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
