HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6806
发行日期： 1996年4月10日
修订日期： 2002年11月29日
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HMBT6520
PNP外延平面晶体管
描述
该HMBT6520是专为一般用途的应用要求高
击穿电压。
特点
•
高集电极 - 发射极击穿电压
•
低集电极 - 发射极饱和电压
•
该HMBT6520互补HMBT6517
SOT-23
绝对最大额定值
•
最高温度
存储Temperature........................................................................................................ -55 〜+ 150
°C
连接点Temperature................................................................................................ 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散(Ta=25°C)............................................................................................ 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .................................................. .. -350 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ................................................. - 350 V
VEBO发射器基极电压........................................................................................................ -5 V
IC集电极电流................................................................................................................. -500毫安
IB基本电流....................................................................................................................... -250毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VCE(sat)3
*VCE(sat)4
VBE （ON）的
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*VBE(sat)3
*hFE1
*hFE2
*hFE3
*hFE4
*HFE5
fT
COB
HMBT6520
分钟。
-350
-350
-5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
30
30
20
15
40
-
典型值。
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-
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马克斯。
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-
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-50
-50
-300
-350
-500
-1
-2
-750
-850
-900
-
-
200
200
-
200
6
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
mV
V
V
mV
mV
mV
测试条件
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-250V
VEB=-4V
IC = -10mA ， IB = -1mA
IC = -20mA ， IB = -2mA
IC = -30mA ， IB = -3mA
IC = -50mA ， IB = -5mA
VCE = -10V ， IC = -100mA
IB = -1mA ， IC = -10mA
IB = -2mA ， IC = -20mA
IB = -3mA ， IC = -30mA
VCE = -10V ， IC = -1mA
VCE = -10V ， IC = -10mA
VCE = -10V ， IC = -30mA
VCE = -10V ， IC = -50mA
VCE = -10V ， IC = -100mA
VCE = -20V ， IC = -10mA ， F = 20MHz的
VCB = -20V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HSMC产品规格
兆赫
pF
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
