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HMBT8599 参数 Datasheet PDF下载

HMBT8599图片预览
型号: HMBT8599
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 32 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6811
发行日期: 1997年12月31日
修订日期: 2002年10月25日
页页次: 1/3
HMBT8599
PNP外延平面晶体管
描述
晶体管放大器
绝对最大额定值
SOT-23
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 225毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -80 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -80 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC集电极电流...................................................................................................... -500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
-80
-80
5
-
-
-
-
-
-600
100
100
75
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-100
-400
-300
-800
300
-
-
-
4.5
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
测试条件
IC=-100uA
IC=-10mA
IE=-10uA
VCB=-80V
VCE=-60V
VEB=-4V
IC = -100mA , IB = -5mA
IC = -100mA , IB = -10mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCE = -5V , IC = -1mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCE = -5V , IC = -100mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCB = -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
HMBT8599
HSMC产品规格