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HMBTA06图片预览
型号: HMBTA06
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 33 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6840
发行日期: 1994年7月29日
修订日期: 2002年10月25日
页页次: 1/3
HMBTA06
NPN硅晶体管
描述
晶体管放大器
绝对最大额定值
SOT-23
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 225毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 80 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 80 V
VEBO发射器基Voltage.............................................................................................. 4 V
IC收藏家Current........................................................................................................ 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
80
80
4
-
-
-
-
50
50
100
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
0.25
1.2
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=100uA
VCB=80V
VCE=60V
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 100mA时VCE = 1V
IC = 10毫安, VCE = 1V
IC = 100mA时VCE = 1V
IC = 10毫安, VCE = 2V , F = 100MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
HMBTA06
HSMC产品规格