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HMBTA14图片预览
型号: HMBTA14
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 41 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6841
发行日期: 1994年7月29日
修订日期: 2004年9月1日
页页次: 1/4
HMBTA14
NPN外延平面晶体管
描述
达林顿晶体管放大器
绝对最大额定值
SOT-23
最高温度
存储Temperature........................................................................................................................... -55 〜+ 150
°C
连接点Temperature................................................................................................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
=25°C)............................................................................................................... 225毫瓦
最大电压和电流(T
A
=25°C)
V
CBO
集电极 - 基极电压........................................................................................................................... 30 V
V
CES
集电极到发射极电压........................................................................................................................ 30 V
V
EBO
发射器基极电压.............................................................................................................................. 10 V
I
C
集电极电流....................................................................................................................................... 300毫安
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
V
BE(上)
*h
FE1
*h
FE2
f
T
COB
分钟。
30
30
10
-
-
-
-
10K
20K
125
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
1.5
2.0
-
-
-
6
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
I
C
=100uA
I
C
=100uA
I
E
=10uA
V
CB
=30V
V
EB
=10V
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=100mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=100mA
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
HMBTA14
HSMC产品规格