HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HN200209
发行日期： 2000年11月1日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBTA94
PNP外延平面晶体管
描述
该HMBTA94设计用于应用需要高电压。
特点
•
高击穿电压： VCEO = 400 （分钟） ，在IC = 1毫安
•
补充HMBTA44
SOT-23
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 350毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... -400 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -400 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -6 V
IC集电极电流...................................................................................................... -150毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
冰
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VCE(sat)3
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
*hFE3
*hFE4
COB
分钟。
-400
-400
-6
-
-
-
-
-
-
-
50
75
60
40
-
典型值。
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-
4
马克斯。
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-100
-100
-500
-200
-300
-600
-900
-
200
-
-
6
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
测试条件
IC = -100uA ， IE = 0
IC = -1mA ， IB = 0
IE = -10uA ， IC = 0
VCB = -400V ， IE = 0
VEB = -6V ， IC = 0
VCE = -400V ， VBE = 0
IC = -1mA ， IB = -0.1mA
IC = -10mA ， IB = -1mA
IC = -50mA ， IB = -5mA
IC = -10mA ， IB = -1mA
VCE = -10V ， IC = -1mA
VCE = -10V ， IC = -10mA
VCE = -10V ， IC = -50mA
VCE = -10V ， IC = -100mA
VCE = -10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
pF
HMBTA94
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
