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HMBTH10图片预览
型号: HMBTH10
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 32 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HN200101
发行日期: 2000年2月1日
修订日期: 2002年10月25日
页页次: 1/3
HMBTH10
NPN外延平面晶体管
描述
该HMBTH10被设计用于VHF &超高频振荡器和VHF
混频器中的一台电视接收机的调谐器。
特点
高频
非常低电容
SOT-23
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
连接点Temperature.................................................................................................... 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 225毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 20 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 15 V
VEBO发射器基Voltage.............................................................................................. 3 V
IC集电极电流......................................................................................................... 50毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*的hFE
COB
fT
分钟。
20
15
3
-
-
-
-
60
-
650
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
马克斯。
-
-
-
100
100
500
0.95
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
pF
兆赫
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IC=10uA
VCB=20V
VEB=2V
IC = 4mA时IB = 0.4毫安
VCE = 10V , IC = 4毫安
VCE = 10V , IC = 4毫安
VCB = 10V , F = 1MHz的
VCB = 10V , IC = 4mA时F = 100MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HMBTH10
HSMC产品规格