HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6803
发行日期： 1995年12月28日
修订日期： 2002年10月28日
页页次： 1/12
HMBZ5221B
THRU
HMBZ5257B
热特性
齐纳二极管
SOT-23
特征
器件总功耗FR- 5局
TA = 25 ° C，减免上述25℃
器件总功耗
氧化铝基板** TA = 25 ℃，减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
PD
PD
RΘJA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
* FR- 5 - 1.0× 0.75 × 0.062 **在氧化铝 - 0.4 ×0.3 × 0.024 99.5 ％的氧化铝。
电气特性
(V
F
= 0.9V最大@I
F
= 10毫安所有类型。 ）
设备
HMBZ52221B
HMBZ5222B
HMBZ5223B
HMBZ5225B
HMBZ5226B
HMBZ5227B
HMBZ5228B
HMBZ5229B
HMBZ5230B
HMBZ5231B
HMBZ5232B
HMBZ5233B
HMBZ5234B
HMBZ5235B
HMBZ5236B
HMBZ5237B
HMBZ5238B
HMBZ5239B
HMBZ5240B
HMBZ5241B
HMBZ5242B
HMBZ5243B
HMBZ5244B
HMBZ52XXB系列
记号
CODE
18A
18B
18C
18E
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
8R
8S
8T
8U
TEST
当前
IZT （毫安）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
齐纳
电压
VZ （V）的
2.4
±5%
2.5
±5%
2.7
±5%
3.0
±5%
3.3
±5%
3.6
±5%
3.9
±5%
4.3
±5%
4.7
±5%
5.1
±5%
5.6
±5%
6.0
±5%
6.2
±5%
6.8
±5%
7.5
±5%
8.2
±5%
8.7
±5%
9.1
±5%
10
±5%
11
±5%
12
±5%
13
±5%
14
±5%
ZZK
IZ=0.25mA
μMAX
1200
1250
1300
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
ZZT
IZ = IZT
μMAX
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
13
15
马克斯。反向
当前
IR （ UA） @VR （V ）
100
1.0
100
1.0
75
1.0
50
1.0
25
1.0
15
1.0
10
1.0
5.0
1.0
5.0
2.0
5.0
2.0
5.0
3.0
5.0
3.5
5.0
4.0
3.0
5.0
3.0
6.0
3.0
6.5
3.0
6.5
3.0
7.0
3.0
8.0
2.0
8.4
1.0
9.1
0.5
9.9
0.1
10
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
