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HMH2369 参数 Datasheet PDF下载

HMH2369图片预览
型号: HMH2369
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 46 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6133
发行日期: 1993年6月18日
修订日期: 2002年2月18日
页页次: 1/4
HPH2369
NPN外延平面晶体管
描述
该HPH2369是专为通用开关和
放大器应用。
特点
低集电极饱和电压
高速开关晶体管
TO-92
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 40 V
VCES集电极到发射极电压............................................. ......................................... 40 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 15 V
VEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 4.5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVces
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VCE(sat)3
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
40
15
40
4.5
-
-
-
-
-
-
700
-
40
20
500
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
80
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
400
300
100
250
300
600
850
1.5
120
-
-
4
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 10毫安, IB = 0
IC = 10uA的, VBE = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 20V , IE = 0
VCE = 25V , VBE = 0
VEB = 2V , IC = 0
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 10毫安, IB = 0.3毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 10毫安, IB = 1毫安
IC = 100mA时IB = 1毫安
IC = 10毫安, VCE = 1V
IC = 100mA时VCE = 2V
IC = 10毫安, VCE = 10V , F = 100MHZ
VCB = 5V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HPH2369
HSMC产品规格
兆赫
pF