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HMJE2955T 参数 Datasheet PDF下载

HMJE2955T图片预览
型号: HMJE2955T
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 41 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6736
发行日期: 1992年12月15日
修订日期: 2002年4月3日
页页次: 1/4
HMJE2955T
PNP外延平面晶体管
描述
该HMJE2955T设计用于放大器的一般用途和
开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-220
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................. 75瓦
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ............................................ 0.6W,
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... -70 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -60V。
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. -5 V
IC集电极电流........................................................................................................... -10一
IB基本电流.................................................................................................................... -6 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEX
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
-70
-60
-5
-
-
-
-
-
-
-
20
5
2
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-1
-700
-5
-1.1
-8
-1.8
100
-
-
单位
V
V
V
mA
mA
uA
mA
V
V
V
测试条件
IC = -10mA , IE = 0
IC = -200mA , IB = 0
IE = -1mA , IC = 0
VCB = -70V , IE = 0
VCE = -70V , VEB (关闭) = - 1.5V
VCE = -30V , IB = 0
VEB = -5V , IC = 0
IC = -4A , IB = -400mA
IC = -10A , IB = -3.3A
IC = -4A , VCE = -4V
IC = -4A , VCE = -4V
IC = -10A , VCE = -4V
VCE = -10V , IC = -500mA , F =为0.5MHz
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
HMJE2955T
HSMC产品规格