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HMJE3055T 参数 Datasheet PDF下载

HMJE3055T图片预览
型号: HMJE3055T
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 38 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6737 -A
发行日期: 1993年9月24日
修订日期: 1999年8月1日
页页次: 1/3
HMJE3055T
NPN外延平面晶体管
描述
该HMJE3055T设计用于放大器的一般用途和
开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ..................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 75瓦
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................... 0.6W,
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... 70 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 60 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
IC集电极电流........................................................................................................... 10 A
IB基本电流.................................................................................................................... 6的
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
ICEX
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
60
70
5
-
-
-
-
-
-
-
20
5
2
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
1.
1.
700
5
1.1
8.0
1.8
100
-
-
单位
V
V
V
mA
mA
uA
mA
V
V
V
测试条件
IC =的200mA, IB = 0
IC = 10毫安, IE = 0
IE = 10毫安, IC = 0
VCB = 70V , IE = 0
VCE = 70V , VEB (关闭) = 1.5V
VCE = 30V , IB = 0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 4A , IB = 400毫安
IC = 10A , IB = 3.3A
IC = 4A , VCE = 4V
IC = 4A , VCE = 4V
IC = 10A , VCE = 4V
VCE = 10V , IC = 500毫安, F =为0.5MHz
兆赫
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格