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HMM1225 参数 Datasheet PDF下载

HMM1225图片预览
型号: HMM1225
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内容描述: 0.8A电压三百八分之三百中外合作办学IGT \u003c 200uA [0.8A 300/380 VOLTAGE SCRS IGT<200uA]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 25 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HMM1225的Datasheet PDF文件第2页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号:初步数据
发行日期: 2000年7月1日
修订日期: 2001年9月6日
页页次: 1/2
HMX1225
HMM1225
0.8A电压三百八分之三百中外合作办学IGT<200uA
描述
该HMX1225 / HMM1225系列可控硅整流器高
性能策划师扩散PNPN设备。这些部件是供
低成本大批量应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
重复峰值关闭状态
电压
通态电流
平均通态电流
峰值反向栅极电压
栅极峰值电流
门耗散
工作温度
储存温度
焊接温度
产品型号
HMX1225
HMM1225
符号
VDRM
VDRM
IT ( RMS )
IT ( AV )
VGRM
IGM
PG (AV)
Tj
TSTG
TSLD
分钟。马克斯。单位
380
-
V
300
-
V
0.8
-
A
0.5
-
A
8
-
V
1
-
A
0.1
-
W
-40 125
°C
-40 125
°C
-
250
°C
测试条件
TJ = 40 ° C至125°C
(RGK=1K)
TC=40°C
半周期= 180 ° , TC = 40℃
IGR=10uA
为10μs最大
20ms的最大
1.6毫米的情况下,最多10秒
中IGT分类
HMX1225
HMM1225
A
10-23微安
10-23微安
C
17-55微安
17-55微安
电气特性
(Ta=25°C)
参数
断态泄漏电流
断态泄漏电流
通态电压
开状态阈值电压
导通状态电阻边坡
门极触发电流
门极触发电压
保持电流
闭锁电流
电压临界上升率
电流上升率Crtical
门控延时
换向关断时间
热阻junc.to情况
热阻JUNC 。到AMB
HMX1225 & HMM1225
符号
IDRM
IDRM
VT
VT ( TO )
rT
IGT
VGT
IH
IL
dv / dt的
的di / dt
TGD
tg
RθJC
RΘJA
最小最大单位
测试条件
-
0.1毫安@VDRM ( RGK = 1K ) , TJ = 125°C
-
5
微安@VDRM ( RGK = 1K ) , TJ = 25°C
-
1.4
V
在IT = 0.4A , TJ = 25°C
-
2.2
V
在IT = 0.8A , TJ = 25°C
-
0.95 V
Tj=125°C
-
600欧姆TJ = 125°C
-
200 uA的VD = 7V
-
0.8
V
VD=7V
-
5
毫安RGK = 1K (欧姆)
-
6
毫安RGK = 1K (欧姆)
25
-
V / us的VD = 0.67 * VDRM ( RGK = 1K ) , TJ = 125°C
30
-
A /我们IG = 10毫安,挖/ DT = 0.1A / us的, TJ = 125°C
-
500纳秒IG = 10毫安,挖/ DT = 0.1A /美国
Tc=85°C,VD=0.67*VDRM
-
200美元
VR=35V,IT=IT(AV)
100
-
K / W
200
-
K / W
HSMC产品规格