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HMPS8099 参数 Datasheet PDF下载

HMPS8099图片预览
型号: HMPS8099
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6318 -A
发行日期: 1996年7月18日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 1/4
HMPS8099
NPN硅晶体管
描述
HMPS8099是专为通用放大器应用。
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
HMPS8099互补HMPS8599
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 125
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 80 V
VCES集电极到发射极电压............................................. ......................................... 80 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 6 V
IC集电极电流...................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
ICEO
*hFE1
*hFE2
*hFE3
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
VBE (ON)的
分钟。
80
80
6
-
-
-
100
100
75
-
-
0.6
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
100
300
-
-
0.4
0.3
0.8
单位
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 10毫安, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 80V , IE = 0
VEB = 4V , IC = 0
VCE = 60V , IB = 0
IC = 1mA时, VCE = 5V
IC = 10毫安, VCE = 5V
IC = 100mA时VCE = 5V
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 10毫安, VCE = 5V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
V
V
V
HSMC产品规格