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HMPSA26图片预览
型号: HMPSA26
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6308 -B
发行日期: 1992年9月9日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 1/3
HMPSA26
NPN硅晶体管
描述
该HMPSA26被设计用于使用在darligton晶体管。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 50 V
VCES集电极到发射极电压............................................. ......................................... 50 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................. 10 V
IC集电极电流....................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVces
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
分钟。
50
50
10
-
-
-
-
-
10K
10K
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
马克斯。
-
-
-
100
500
100
1.5
2
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 100uA的, VBE = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 40V , IE = 0
VCE = 40V , VBE = 0
VEB = 10V , IC = 0
IC = 100mA时IB = 100uA的
VCE = 5V , IC =百毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IC =百毫安
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格