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型号: HMPSA56
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 41 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6311
发行日期: 1992年9月9日
修订日期: 2001年3月15日
页页次: 1/4
HMPSA56
PNP硅晶体管
描述
晶体管放大器
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... -80 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... -80 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -4 V
IC集电极电流..................................................................................................... -500毫安
IC集电极电流(脉冲) ............................................ ............................................ -1000毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
-80
-80
-4
-
-
-
-
50
50
50
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-0.25
-1.2
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
测试条件
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -100uA , IC = 0
VCB = -80V , IE = 0
VCE = -60V , IB = 0
IC = -100mA , IB = -10mA
IC = -100mA , VCE = -1V
IC = -10mA , VCE = -1V
IC = -100mA , VCE = -1V
IC = -100mA , VCE = -1V , F = 1MHz的
兆赫
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HMPSA56
HSMC产品规格