HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HSP200204
发行日期： 1998年1月6日
修订日期： 2002年3月26日
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HSA733SP
PNP外延平面晶体管
描述
在HSA733设计用于AF放大器的驱动器级的使用。
特点
•
高的hFE和卓越的线性度： 200典型。的hFE （ VCE = 6.0 ， IC = 1.0毫安）
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 250毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -60V。
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -50 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC收藏家Current....................................................................................................... -100毫安
IB基本电流............................................................................................................... -20毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*的hFE
fT
COB
分钟。
-60
-50
-5
-
-
-
-0.55
90
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-0.18
-0.62
200
180
4.5
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.3
-0.7
600
-
6.0
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
兆赫
pF
测试条件
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB = -60V ， IC = 0
VEB = -5V ， IC = 0
IC = -100mA ， IB = -10mA
IC = -1mA ， VCE = -6V
VCE = -6V ， IC = -1mA
IC = -1mA ， VCE = -6V
IE = 0 ， VCB = -10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
中hFE1分类
秩
范围
R
90-180
Q
135-270
P
200-400
K
300-600
HSA733SP
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
