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HSB1109S 参数 Datasheet PDF下载

HSB1109S图片预览
型号: HSB1109S
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 40 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
特性曲线
电流增益&集电极电流
1000
规格。编号: HE6514
发行日期: 1993年3月15日
修订日期: 2002年2月6日
页页次: 2/4
饱和电压&集电极电流
1000
125 C
o
饱和电压(MV )
75 C
100
125 C
o
o
的hFE
25 C
100
75 C
o
o
25 C
o
的hFE @ V
CE
=5V
V
CE ( SAT )
@ I
C
=10I
B
10
10
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流-I
C
(MA )
集电极电流-I
C
(MA )
电压&集电极电流
1000
输出电容&
反向电压Blased
20
25 C
o
输出Capacttance - 柯布(PF )
100
上压(MV )
15
75 C
125 C
o
o
10
5
V
BE(上)
@ V
CE
=5V
100
0.1
1
10
0
0.1
1
10
100
1000
集电极电流-I
C
(MA )
反向偏置-V
CB
(V)
截止频率&集电极电流
1000
1000
安全工作区
截止频率(MHz )
100
集电极电流(毫安)
100
10
10
1
0.1
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
集电极电流-I
C
(MA )
正向偏置电压(V )
HSB1109S
HSMC产品规格