HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6607
发行日期： 1993年3月15日
修订日期： 2002年2月6日
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HSB1109
PNP外延平面晶体管
特点
•
低频高电压放大器
•
互补配对HSD1609
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-126ML
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ..........................................为1.25W
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... -160 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... -160 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. -5 V
IC收藏家Current....................................................................................................... -100毫安
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-160
-160
-5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
5.5
马克斯。
-
-
-
-10
-2
-1.5
320
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC=-10uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-140V
IC = -30mA ， IB = -3mA
IC = -10mA ， VCE = -5V
IC = -10mA ， VCE = -5V
IC = -1mA ， VCE = -5V
IC = -10mA ， VCE = -5V
VCB = -10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中hFE1分类
秩
范围
B
60-120
C
100-200
D
160-320
HSB1109
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
