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HSB1386A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HSB1386A
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内容描述: 低频晶体管( -20V , -4A ) [LOW FREQUENCY TRANSISTOR (-20V, -4A)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 48 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HA200111
发行日期: 2001年12月1日
修订日期: 2005年2月14日
页页次: 1/4
HSB1386A
低频晶体管( -20V , -4A )
特点
低V
CE ( SAT )
.
V
CE ( SAT )
= -0.55V (典型值)。 (我
C
/I
B
=-4A/-0.1A)
优良的直流电流增益特性。
TO-92
结构
外延平面型PNP硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率( TA = 25
o
C)
结温
储存温度
范围
-30
-20
-6
-4
-10
750
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A(脉冲) *
mW
o
o
C
C
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*的hFE
fT
COB
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极B reakdown电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
分钟。
-30
-20
-6
-
-
-
82
-
-
-
-
-
-
110
30
-0.5
-0.5
-1
580
-
-
pF
uA
uA
V
典型值。马克斯。
-
-
-
-
单位
V
V
I
C
=-1mA
I
C
=-50uA
V
CB
=-20V
V
EB
=-5V
I
C
/I
B
=-4A/-0.1A
V
CE
= -2V , IC = -0.5A
兆赫V
CE
= -6V ,我
E
= 50mA时F = 30MHz的
V
CB
= -20V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
I
C
=-50uA
分类的hFE的
范围
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
E
370-580
HSB1386A
HSMC产品规格