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HSB1426图片预览
型号: HSB1426
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 36 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6506
发行日期: 1994年3月25日
修订日期: 2002年2月8日
页页次: 1/3
HSB1426
PNP外延平面晶体管
描述
DC-DC变换器
特点
低集电极到发射极饱和电压
TO-92
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 750毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -20 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -20 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -6 V
IC集电极电流............................................................................................................. -3 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
*的hFE
fT
COB
分钟。
-20
-20
-6
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
240
35
马克斯。
-
-
-
-100
-100
-500
390
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
测试条件
IC = -50uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -10uA , IC = 0
VCB = -20V , IE = 0
VEB = -5V , IC = 0
IC = -2A , IB = -0.1A
VCE = -2V , IC = -100mA
VCE = -2V , IC = -500mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , IE = 0 , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
中hFE1分类
范围
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
HSB1426
HSMC产品规格