HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HA200201
发行日期： 2002年1月1日
修订日期： 2005年2月14日
页页次： 1/4
HSB647A
PNP硅外延
描述
低频功率放大器互补配对HSD667A 。
绝对最大额定值
TO-92
•
最高温度
储存温度........................................................................................................................... -55 〜+ 150
°C
结温..................................................................................................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（T
A
= 25℃） ............................................................................................................... 900毫瓦
•
最大电压和电流（T
A
=25°C)
V
CBO
集电极 - 基极电压........................................................................................................................ -120 V
V
首席执行官
集电极到发射极电压..................................................................................................................... -100 V
V
EBO
发射器基极电压............................................................................................................................... -5 V
I
C
集电极电流（ DC ） ..................................................................................................................................... -1
I
CP
集电极电流（峰值） ................................................................................................................................. -2 A
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
*V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
*h
FE1
*h
FE2
f
T
COB
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
直流电流传输比1
直流电流传输比2
增益带宽积
集电极输出电容
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-120
-100
-5
-
-
-
60
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
20
-
-
-
-10
-1
-1.5
200
-
-
-
pF
V
V
V
uA
V
V
测试条件
I
C
= -100uA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，R
BE
=∞
I
E
= -10uA ，我
C
=0
V
CB
= -100V ，我
E
=0
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-150mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-150mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-500mA
兆赫V
CE
= -5V ，我
C
=-150mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz时，我
E
=0
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
中hFE1分类
秩
范围
B
60-120
C
100-200
HSB647A
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
