HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6629
发行日期： 1995年12月18日
修订日期： 2002年4月3日
页页次： 1/3
HSB649A
PNP硅外延平面晶体管
描述
低频功率放大器互补对与HSD669A 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-126ML
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散........................................................................................................ 1 W
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................. 20瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... -180 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... -160 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. -5 V
IC集电极电流（ DC ） ............................................ .................................................. .... -1.5一
IC集电极电流（脉冲） ............................................ .................................................. .. -3 A
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE （SAT）
* VBE （上）
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-180
-160
-5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
27
马克斯。
-
-
-
-10
-1
-1.5
200
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC = -1mA ， IE = 0
IC = -10mA ， IB = 0
IE = -1mA ， IC = 0
VCB = -160V ， IE = 0
IC = -500mA ， IB = -50mA
IC = -150mA ， VCE = -5V
IC = -150mA ， VCE = -5V
IC = -500mA ， VCE = -5V
IC = -150mA ， VCE = -5V
VCB = -10V ， F = 1MHz时， IE = 0
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中hFE1分类
秩
范围
B
60-120
C
100-200
HSB649A
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
