HSB649T 参数 Datasheet PDF下载

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： HT200103

发行日期： 2001年12月1日

修订日期： 2005.12.02

页页次： 1/4

HSB649T

PNP硅外延平面晶体管

描述

低频功率放大器。

绝对最大额定值

(T

A

=25°C)

TO-126

•

最高温度

储存温度........................................................................................................................... -55 〜+ 150

°C

结温................................................................................................................... 150

°C

最大

•

最大功率耗散

总功率耗散....................................................................................................................................... 1 W

总功率耗散（T

C

= 25℃） .................................................................................................................... 20瓦

•

最大电压和电流

BV

CBO

集电极基Voltage...................................................................................................................... -180 V

BV

首席执行官

集电极到发射极Voltage................................................................................................................... -160 V

BV

EBO

发射器基Voltage............................................................................................................................. -5 V

I

C

集电极电流（ DC ） .................................................................................................................................. -1.5一

I

C

集电极电流(Pulse).................................................................................................................................. -3 A

热特性

R

θJC

热阻，结到外壳（最大） ........................................ ............................................. 6.25

° C / W

电气特性

(T

A

=25°C)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

*V

CE （ SAT ）

*V

BE（上）

*h

FE1

*h

FE2

f

T

COB

分钟。

-180

-160

-5

-

-

-

100

30

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

140

27

马克斯。

-

-

-

-10

-1

-1.5

200

-

-

-

兆赫

pF

单位

V

V

V

uA

V

V

I

C

= -1mA ，我

E

=0

I

C

= -10mA ，我

B

=0

I

E

= -1mA ，我

C

=0

V

CB

= -160V ，我

E

=0

I

C

= -500mA ，我

B

=-50mA

I

C

= -150mA ，V

CE

=-5V

I

C

= -150mA ，V

CE

=-5V

I

C

= -500mA ，V

CE

=-5V

I

C

= -150mA ，V

CE

=-5V

V

CB

= -10V ， F = 1MHz时，我

E

=0

*脉冲测试：脉冲宽度

≤380us,

值班Cycle≤2 ％

测试条件

中hFE1分类

秩

范围

C

100-200

HSB649T

HSMC产品规格