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HSB764图片预览
型号: HSB764
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 41 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6549 -B
发行日期: 1996年11月25日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 1/4
HSB764
PNP外延平面晶体管
描述
电压调节器,继电器驱动器,电气设备应用程序。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 900毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... -60 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... -50 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -5 V
IC集电极电流............................................................................................................. -1
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-60
-50
-5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
uA
uA
mV
V
测试条件
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -10uA , IC = 0
VCB = -50V , IE = 0
VEB = -4V , IC = 0
IC = -500mA , IB = -50mA
IC = -500mA , IB = -50mA
VCE = -2V , IC = -50mA
VCE = -2V , IC = -1A
VCE = -10V , IC = -50mA
VCB = -10V , IE = 0 , F = 1MHz的
60
30
150
20
-1
-1
-700
-1.2
320
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
中hFE1分类
范围
D
60-120
E
100-200
F
160-320
HSMC产品规格