HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6549
发行日期： 1992年11月25日
修订日期： 2002年5月8日
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HSB772S
PNP外延平面晶体管
描述
该HSB772S被设计用于使用在0.75W的输出级
放大器，电压调节器，DC-DC转换器和驱动器。
绝对最大额定值
TO-92
•
最高温度
存储温度................................................ .......................................... -55到+150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 750毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -40 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -30 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC集电极电流............................................................................................................. -3 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-40
-30
-5
-
-
-
-
30
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-0.3
-1
-
160
80
55
马克斯。
-
-
-
-1
-1
-0.5
-2
-
400
-
-
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
测试条件
IC = -100uA ， IE = 0
IC = -1mA ， IB = 0
IE = -10uA ， IC = 0
VCB = -30V ， IE = 0
VEB = -3V ， IC = 0
IC = -2A ， IB = -0.2A
IC = -2A ， IB = -0.2A
VCE = -2V ， IC = -20mA
VCE = -2V ， IC = -1A
VCE = -5V ， IC = -0.1A ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中hFE2分类
秩
范围
Q
100-200
P
160-320
E
200-400
HSB772S
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
