HSB857J 参数 Datasheet PDF下载

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

规格。编号： HJ200101

发行日期： 2001年9月1日

修订日期： 2005年7月14日

页页次： 1/4

HSB857J

PNP外延平面晶体管

描述

低频功率放大器。

绝对最大额定值

(T

A

=25°C)

TO-252

•

最高温度

储存温度............................................................................................................................. -50 〜 + 150

°C

结温................................................................................................................... 150

°C

最大

•

最大功率耗散

总功率耗散（T

C

= 25℃） ..................................................................................................................... 20瓦

•

最大电压和电流

BV

CBO

集电极基Voltage......................................................................................................................... -60V。

BV

首席执行官

集电极到发射极Voltage..................................................................................................................... -50 V

BV

EBO

发射器基Voltage............................................................................................................................. -5 V

I

C

集电极电流.............................................................................................................................................. -3 A

I

C

集电极电流（I

C

Peak)............................................................................................................................ -4.5一

电气特性

(T

A

=25°C)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

*V

CE （ SAT ）

*V

BE （ SAT ）

*h

FE

f

T

分钟。

-60

-50

-5

-

-

-

-

-

170

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-0.3

-

-

15

马克斯。

-

-

-

-1

-1

-1

-1

-1.5

400

-

兆赫

单位

V

V

V

uA

uA

uA

V

V

I

C

=-50uA

I

C

=-1mA

I

E

=-50uA

V

CB

=-50V

V

CE

=-40V

V

EB

=-4V

I

C

= -2A ，我

B

=-0.2A

I

C

= -2A ，我

B

=-0.2A

I

C

= -500mA ，V

CE

=-3V

V

CE

= -5V ，我

C

= -500mA ， F = 100MHz的

*脉冲测试：脉冲宽度

≤380us,

值班Cycle≤2 ％

测试条件

HSB857J

HSMC产品规格