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HSC1815图片预览
型号: HSC1815
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 38 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6523
发行日期: 1992年11月25日
修订日期: 2001年6月6日
页页次: 1/3
HSC1815
NPN外延平面晶体管
描述
该HSC1815被设计用于AF放大器的驱动器级
通用的扩增。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 400毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 60 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ 50 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 150毫安
IB基本电流............................................................................................................... 50毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
60
50
5
-
-
-
-
120
25
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
250
1
700
-
-
3.5
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 60V , IE = 0
VEB = 5V , IC = 0
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE = 6V , IC = 2毫安
VCE = 6V , IC = 150毫安
VCE = 10V , IC = 1mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
中hFE1分类
范围
Y
120-240
GR
200-400
BL
350-700
HSC1815
HSMC产品规格