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HSC2682图片预览
型号: HSC2682
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 36 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6626 -B
发行日期: 1994年12月7日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 1/3
HSC2682
NPN外延平面晶体管
描述
音频功率放大器,高频功率放大器。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................... 1.2 W
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ .............................................. 8 W
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... 180 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... 180 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
IC集电极电流.......................................................................................................百毫安
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
180
180
5
-
-
-
-
90
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
120
0.8
-
200
200
-
马克斯。
-
-
-
1
1
500
1.5
-
320
-
5
单位
V
V
V
uA
uA
mV
V
测试条件
IC=1mA
IC=10mA
IE=10uA
VCB=180V
VEB=3V
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 1mA时, VCE = 5V
IC = 10毫安, VCE = 5V
IC = 20mA时, VCE = 10V
VCB=10V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
中hFE2分类
范围
O
100-200
Y
160-320
HSMC产品规格