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HSC3417 参数 Datasheet PDF下载

HSC3417图片预览
型号: HSC3417
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6618 -C
发行日期: 1994年5月12日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 1/3
HSC3417
NPN外延平面晶体管
特点
高清晰度CRT显示器视频输出的应用
高击穿电压: BVCEO = 300V
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................... 1.2 W
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ .............................................. 7瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... 300 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... 300 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
IC集电极电流.......................................................................................................百毫安
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*的hFE
fT
COB
分钟。
300
300
5
-
-
-
-
40
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
70
2.6
马克斯。
-
-
-
100
100
600
1
320
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
兆赫
pF
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=200V
VEB=4V
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 10毫安, VCE = 10V
IC = 10毫安, VCE = 30V , F = 100MHz的
VCB = 30V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
分类的hFE的
范围
C
40-80
D
60-120
E
100-200
F
160-320
HSMC产品规格