HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6706 -B
发行日期： 1993年1月13日
修订日期： 1999年8月1日
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HSD1159
NPN外延平面晶体管
描述
能够有效的驱动器，内部小的损失，由于出色的TF 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................ 40瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... 200 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 60 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 6 V
IC集电极电流........................................................................................................... 4.5 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
ft
分钟。
200
60
6
-
-
-
-
30
25
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.5
-
-
-
10
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
1
1.5
160
-
-
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
测试条件
IC = 5毫安， IE = 0
IC = 5毫安， IB = 0
IE = 5毫安， IC = 0
VCB = 40V ， IE = 0
VEB = 5V ， IC = 0
IC = 4A ， IB = 0.4A
IC = 4A ， IB = 0.4A
IC = 1A ， VCE = 5V
IC = 4A ， VCE = 5V
VCE = 5V ， IC = 1A
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
