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HSD1616A 参数 Datasheet PDF下载

HSD1616A图片预览
型号: HSD1616A
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 43 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6534
发行日期: 1998年6月1日
修订日期: 2002年2月18日
页页次: 1/4
HSD1616A
NPN外延平面晶体管
描述
该HSD1616A是专为音频功率放大器和
中速开关应用。
绝对最大额定值
TO-92
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 750毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 120 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 60 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 6 V
IC集电极电流( DC ) ...................................................................................................... 1
IC集电极电流* (脉冲) ........................................... .................................................. .... 2将
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
ts
tf
分钟。
120
60
6
-
-
-
-
600
135
81
100
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
150
0.9
-
-
-
160
-
0.07
0.95
0.07
马克斯。
-
-
-
100
100
300
1.2
700
600
-
-
19
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
mV
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=60V
VEB=6V
IC = 1A , IB = 50毫安
IC = 1A , IB = 50毫安
VCE = 2V , IC = 50毫安
VCE = 2V , IC =百毫安
VCE = 2V , IC = 1A
VCE = 2V , IC =百毫安
IE = 0 , VCB = 10V , F = 1MHZ
VCE = 10V , IC =百毫安
IB1=-IB2=10mA
VBE(off)=-2~-3V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
uS
uS
uS
中hFE1分类
范围
Y
135-270
G
200-400
L
300-600
HSD1616A
HSMC产品规格