HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HJ200205
发行日期: 2002年4月1日
修订日期: 2005年7月14日
页页次: 1/5
HSD2118J
低V
CE ( SAT )
晶体管( 20V , 5A )
特征
•
低V
CE ( SAT )
, V
CE ( SAT )
=0.6V(Typ.)(I
C
=4A/I
B
=0.1A)
•
出色的直流电流增益特性
•
补充HSB1386J
TO-252
结构
外延平面型硅NPN晶体管
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
•
最高温度
储存温度........................................................................................................................... -55 〜+ 150
°C
结温..................................................................................................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
= 25℃) ...................................................................................................................... 1 W
总功率耗散(T
C
= 25℃) .................................................................................................................... 10瓦
•
最大电压和电流(T
A
=25°C)
V
CBO
集电极 - 基极电压........................................................................................................................... 50 V
V
首席执行官
集电极到发射极电压........................................................................................................................ 20 V
V
EBO
发射器基极电压................................................................................................................................ 6 V
I
C
集电极电流............................................................................................................................................... 5 A
I
C
集电极电流(脉冲) .................................................................................................................................. 10 A
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*的hFE
fT
COB
分钟。
50
20
6
-
-
-
180
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.6
-
150
30
马克斯。
-
-
-
0.5
0.5
1
620
-
-
兆赫
pF
单位
V
V
V
uA
uA
V
I
C
=50uA
I
C
=1mA
I
E
=50uA
V
CB
=40V
V
EB
=5V
I
C
/I
B
=4A/0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 6V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
V
CE
= 20V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
分类的hFE的
秩
范围
R
180-390
E
370-620
HSD2118J
HSMC产品规格