欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HSD313 参数 Datasheet PDF下载

HSD313图片预览
型号: HSD313
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 46 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HSD313的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD313的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD313的Datasheet PDF文件第4页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6728
发行日期: 1993年4月12日
修订日期: 2002年5月7日
页页次: 1/4
HSD313
NPN外延平面晶体管
描述
该HSD313设计用于一般用途的放大器的使用和
开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-220
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ............................................... 2 W
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................. 30瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 60 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 60 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................... 5 V
IC收藏家Current............................................................................................................... [3] A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
ft
分钟。
60
60
5
-
-
-
-
-
40
40
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
马克斯。
-
-
-
0.1
5
1
1
1.5
320
-
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
测试条件
IC = 1mA时, IE = 0
IC = 10毫安, IB = 0
IE =为100uA , IC = 0
VCB = 20V , IE = 0
VCE = 60V , IB = 0
VEB = 4V , IC = 0
IC = 2A , IB = 0.2A
IC = 1A , VCE = 2V
IC = 1A , VCE = 2V
IC = 0.1A , VCE = 2V
VCE = 5V , IC = 0.5A
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
V
中hFE1分类
的hFE
C
40-80
D
60-120
E
100-200
F
160-320
HSD313
HSMC产品规格