HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6729 -B
发行日期： 1992年11月25日
修订日期： 1999年8月1日
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HSD880
NPN外延平面晶体管
描述
该HSD880是专为低频功率放大器
应用程序。
特点
•
高直流电流增益
•
高功率耗散： PC = 30W的TC = 25°C
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................ 30瓦
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................... 1.5瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... 60 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 60 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 7 V
IC集电极电流.............................................................................................................. [3] A
IB基本电流................................................................................................................. 0.5 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （上）
*的hFE
fT
分钟。
60
60
-
-
-
-
60
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
3
马克斯。
-
-
100
100
1
1
300
-
单位
V
V
uA
uA
V
V
兆赫
测试条件
IC = 1mA时， IE = 0
IC = 50mA时IB = 0
VCB = 60V ， IE = 0
VEB = 7V ， IC = 0
IC = 3A ， IB = 0.3A
IC = 0.5A ， VCE = 5V
IC = 0.5A ， VCE = 5V
IC = 500毫安， VCE = 5V
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
分类的hFE的
秩
范围
O
60-120
Y
100-200
GR
150-300
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
