HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 1998年2月1日
修订日期： 1999年8月1日
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HSK1118
描述
•
场效应晶体管。
•
硅N沟道MOS型。
•
高速，大电流DC-DC转换器，继电器驱动器和
电机驱动应用
特点
•
4伏栅极驱动
•
低漏源导Resistanc - R的
DS （ ON）
= 0.95Ω （典型值）。
•
高正向转移导纳 - | YFS | = 4.0S （典型值）
•
低漏电流 - 我
DSS
= 300uA （最大） @V
DS
= 600V
•
增强模式 - V
th
= 1.5~3.5V @V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温...................................................................................................... 150
°C
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................ 45瓦
•
最大电压和电流（TC = 25 ° C）
漏极至源极击穿电压............................................. ............................. 600 V
漏极至栅极击穿电压............................................. ................................... 600 V
门源电压.............................................. .................................................
±30
V
漏电流(Cont.).......................................................................................................... 6的
漏极电流（时脉） .......................................................................................................四条
热特性
特征
结到外壳
结到环境
符号
RθJC
RΘJA
马克斯。
2.77
62.5
单位
° C / W
° C / W
注意：该晶体管是静电敏感器件。请小心处理。
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
